ECE

 305     Spring  2015  

SOLUTIONS:    ECE  305  Homework:  Week  4  

 
Mark  Lundstrom  
Purdue  University  
 
1) Answer  the  following  questions  about  resistivity  at  T  =  300K.  
 
1a)   Compute  the  resistivity  of  intrinsic  Si,  Ge,  and  GaAs.  
1b)   Compute  the  resistivity  of  n-­‐type  Si,  Ge,  and  GaAs  doped  at   N D = 1019 cm -3 .    
Assume  complete  ionization  of  dopants.  
 
Solution:  
According  to  eqn.  (3.7)  on  p.  85  of  SDF  
1
ρ= Ω-cm    
nqµ n + pqµ p
What  are  the  units  of   1 nqµ n  or   1 pqµ p ?    In  MKS  (also  called  SI)  units:      
1 1 1 1 V V
→ -3 × × 2 = − m = − m = Ω-m    MKS  or  SI  
nqµ m C m /(V-s) ( C/s ) A
But  we  are  usually  given  carrier  densities  per  cm3  and  mobility  in  cm2/(V-­‐s),  which  
are  not  MKS  units.  
 
1 1 1 1 V V
→ × × = − cm = − cm = Ω-cm  
nqµ cm -3
C cm /(V-s) ( C/s )
2
A
 
so  then  the  answer  comes  out  in   Ω - cm .    Resistivity  is  usually  quoted  in   Ω - cm .  
 
1a)    We  need  the  carrier  densities  and  mobilities:  
n = p = ni    
From  Fig.  3.5,  p.  80  of  SDF  for  silicon:  
cm 2 cm 2
µ n ≈ 1400     µ p ≈ 460  
V-s V-s
1 1
ρ= = Ω-cm
nqµ n + pqµ p ni q µ n + µ p ( )  
1
ρ = 10 = 3.4 × 105 Ω-cm  
10 × 1.6 × 10 × (1400 + 460 )
−19

 
ρ = 3.4 × 105 Ω-cm    (silicon)  
This  is  a  very  large  resistivity  –  not  as  large  as  an  insulator,  but  very  large  for  a  
semiconductor.  

ECE-­‐305     1   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
For  Ge:      
1
ρ= Ω-cm  
(
ni q µ n + µ p )
From  Fig.  3.5,  p.  80  of  SDF  for  Ge:  
cm 2 cm 2
µ n ≈ 4000     µ p ≈ 2000  
V-s V-s
From  Fig.  2.20,  p.  54  of  SDF  for  Ge:  
 
ni ( 300 K ) = 2 × 1013 cm -3    
1
ρ= = 5.2 × 101 Ω-cm
2 × 10 × 1.6 × 10
13 −19
× ( 4000 + 2000 )
 
ρ = 5.2 × 10 Ω-cm    (Ge)  
1

 
Intrinsic  Ge  is  fairly  conductive!    This  happens  because  the  mobilities  are  higher,  but  
mostly  because  the  bandgap  is  much  lower,  so  the  intrinsic  carrier  concentration  is  
much  larger.  
 
For  GaAs:      
1
ρ= Ω-cm  
(
ni q µ n + µ p )
From  Fig.  3.5,  p.  80  of  SDF  for  GaAs:  
cm 2 cm 2
µ n ≈ 8500     µ p ≈ 430  
V-s V-s
From  Fig.  2.20,  p.  54  of  SDF  for  Ge:  
 
ni ( 300 K ) = 2.25 × 106 cm -3    
1
ρ= = 3.1× 108 Ω-cm
2.25 × 10 × 1.6 × 10 × (8500 + 430 )
6 −19
 
ρ = 3.1× 10 Ω-cm    (GaAs)  
8

 
Intrinsic  GaAs  has  a  resistivity  that  is  orders  of  magnitude  larger  than  Si!    This  
happens  even  though  the  electron  mobility  is  much  larger  than  Si  because  the  
bandgap  is  much  larger,  so  the  intrinsic  carrier  concentration  is  orders  of  magnitude  
smaller.      
 
 
 

ECE-­‐305     2   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
1b)    Since  we  are  heavily  doped  n-­‐type  in  this  case,  we  can  ignore  the  contribution  from  
holes.  
1
ρ= Ω-cm  
nqµ n
 
For  Si:      
From  Fig.  3.5,  p.  80  of  SDF  for  Si:  
cm 2
µ n ≈ 110  
V-s
1
ρ= −19
= 5.7 × 10−3 Ω-cm
1× 10 × 1.6 × 10 × 110
19
 
ρ = 5.7 × 10−3 Ω-cm  (Si)  
 
This  is  about  eight  orders  of  magnitude  lower  than  the  intrinsic  resistivity  of  Si.    The  
ability  to  control  the  resistivity  over  orders  of  magnitude  is  what  makes  
semiconductors  so  useful.  
 
For  Ge:      
From  Fig.  3.5,  p.  80  of  SDF  for  Si:  
cm 2
µ n ≈ 900    
V-s
1
ρ= −19
= 6.9 × 10−4 Ω-cm
1× 10 × 1.6 × 10 × 900
19
 
 
ρ = 6.9 × 10−4 Ω-cm  (Ge)  
 
Even  lower  than  Si  because  the  mobility  is  higher.  
 
For  GaAs:      
 
From  Fig.  3.5,  p.  80  of  SDF  for  GaAs:  
cm 2
µ n ≈ 3200    
V-s
1
ρ= −19
= 2.0 × 10−4 Ω-cm
1× 10 × 1.6 × 10 × 3200
19
 
ρ = 2.0 × 10−4 Ω-cm  (GaAs)  
 
Even  lower  than  Ge  because  the  mobility  is  higher.  

ECE-­‐305     3   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
Comments:    For  Si,  we  found  that  the  range  of  possible  resistivities  is  
 
3.0 × 105 Ω-cm < ρ < 6 × 10−3 Ω-cm  
 
which  is  about  eight  orders  of  magnitude.    In  practice,  we  could  never  have  pure,  
intrinsic  Si,  there  will  always  be  some  unintentional  dopants  no  matter  how  pure  we  
try  to  make  Si,  so  the  resistivities  would  not  be  as  high  as  indicted  here,  but  it’s  
common  to  find  resistivities  in  the  1000’s.    Also,  one  can  dope  Si  to   1020 cm -3 ,  so  
resistivities  10  times  lower  than  indicated  above  can  be  obtained.  
 
How  do  these  limits  compare  to  insulators  and  metals?    A  Google  search  shows  
 
Resistivity  of  copper:     ρ Cu = 1.68 × 10−8 Ω-cm
Resistivity  of  diamond:     ρ = 1013 − 1020 Ω-cm    
diamond
 
So  semiconductors  are  not  great  metals  and  not  great  insulators  –  their  usefulness  
comes  from  the  ability  to  vary  their  resistivity  controllably  with  doping.  
 
 
2) You  are  given  a  10  Ohm-­‐cm  silicon  wafer  at  300  K.    
 
2a)   If  it  is  n-­‐type,  What  is  the  electron  density?  
2b)   If  it  is  p-­‐type,  what  is  the  hole  density?  
 
Solution:  
 
From  Fig.  3.8  on  p.  86  of  SDF,  we  can  read  off  the  doping  density  for  a  given  
resistivity.      
 
2a)    10  Ohm-­‐cm  n-­‐type  corresponds  to   N D ≈ 5 × 1014 cm -3  .    Under  these  conditions:  
 
n ≈ N D ≈ 5 × 1014 cm -3  
 
2b)    10  Ohm-­‐cm  p-­‐type  corresponds  to   N A ≈ 1.3× 1015 cm -3  .    Under  these  conditions:  
 
p ≈ N A ≈ 1.3× 1015 cm -3  
 
 
 

ECE-­‐305     4   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
3) Determine  the  diffusion  coefficient  for  electrons  in  Si  at  T  =  300  K  for  the  following  
two  conditions.  
 
3a)   Intrinsic  Si  
3b)   Si  doped  at   N D = 1019 cm -3  
 
Solution:  
 
3a)   intrinsic  Si  
 
From  Fig.  3.5  of  SDF  for  lightly  doped  material.  
Si:     µ n = 1360 cm 2 V-s  
Dn k BT kT k BT
= → Dn = B µ n     Dn = µ = 0.026 × 1360  
µn q q q n
 
Dn = 35 cm 2 s  
 
3b)  Si  doped  at   N D = 1019 cm -3  
 
From  Fig.  3.5  of  SDF  for  lightly  doped  material.  
Si:     µ n = 110 cm 2 V-s  
k BT
Dn = µ = 0.026 × 110  
q n
Dn = 2.9 cm 2 s  
 
 
4)   For  the  energy  band  sketched  below,  provide  sketches  of  the  following:  
 
4a)   The  carrier  densities,  n(x),  and  p(x)  vs.  position,  
4b)   The  electrostatic  potential,  ψ ( x ) ,  vs.  position.  
4c)   The  electric  field  E  vs.  position.  
4d)   The  space  charge  density,   ρ ( x )    vs.  position.  
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     5   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
 
Solution:  
 
( E − E ( x ))
4a)   The  carrier  densities,  n(x),  and  p(x)  vs.  position  follow  from   n ( x ) = ni e F i
k BT
   
( E ( x )− EF ) kBT .  
and   p ( x ) = ni e i

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     6   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
 
4b)   The  electrostatic  potential,  ψ ( x ) ,  vs.  position  (just  turn   EC ( x ) ,  or   EV ( x ) ,  or  
Ei ( x )  upside  down.  

 
 
4c)   The  electric  field  E  vs.  position  (is  proportional  to  the  slope  of   EC ( x ) ,  or   EV ( x ) ,  
or   Ei ( x ) .  
 
 

 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     7   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
4d)   The  space  charge  density,   ρ ( x )    vs.  position.  (Take  slope  of  electric  field  vs.  
position  or  deduce  from  the  carrier  densities  and  doping  densities.)  
 
 

 
 
 
5)   For  the  energy  band  diagram  sketched  below,  answer  the  following  questions.  
 
5a)   Sketch  the  electrostatic  potential,   V ( x ) ,  vs.  position,  x.  
5b)   Sketch  the  electric  field,  E ( x ) ,  vs.  position,  x.  
5c)   Sketch  the  electron  density,   n ( x )  vs.  position,  x.  
5d)   Sketch  the  hole  density,   p ( x ) ,    vs.  position,  x.  

 
 
 
 

ECE-­‐305     8   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
Solution:  
 
5a)    Sketch  the  electrostatic  potential,   V ( x ) ,  vs.  position,  x.  
 

 
 
5b)  Sketch  the  electric  field,  E ( x ) ,  vs.  position,  x.  
 
 
 

 
 
 
 
 
 
 
 

ECE-­‐305     9   Spring  2015  

ECE  305     Spring  2015  

HW4  Solutions  (continued):  

 
 
5c)    Sketch  the  electron  density,   n ( x )  vs.  position,  x.  

 
 
5d)    Sketch  the  hole  density,   p ( x ) ,    vs.  position,  x.  
 

 
 

ECE-­‐305     10   Spring  2015