TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3
EconoPIM™2mitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
EconoPIM™2withtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode

IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 25 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC 40 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  50  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  155  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,70 2,15 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 25 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C 2,00 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 1,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,24  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  8,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,80  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,064  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,09 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,09  µs
RGon = 18 Ω
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,05  µs
RGon = 18 Ω
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,42 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,52  µs
RGoff = 18 Ω
Fallzeit,induktiveLast IC = 25 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,09  µs
RGoff = 18 Ω
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C 1,90 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 1000 A/µs Tvj = 125°C Eon  2,80  mJ
RGon = 18 Ω
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 45 nH Tvj = 25°C 1,75 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs Tvj = 125°C Eoff  2,40  mJ
RGoff = 18 Ω
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 100 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC   0,80 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,32 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  25  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  50  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  170  A²s
I²t-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,65 2,15 V
VF
Forwardvoltage IF = 25 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C 1,65 V
Rückstromspitze IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 26,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  24,0  A
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 2,80 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  5,00  µC
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls IF = 25 A, - diF/dt = 1000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 1,00 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  2,00  mJ
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   1,35 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,535 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1600  V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM  50  A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM  60  A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A
IFSM  
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 370 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 1000 A²s
I²t  
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 685 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 25 A VF  0,90  V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR  1,00  mA
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   0,90 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,36 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 15 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC 25 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  30  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  105  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,70 2,15 V
VCE sat
Collector-emittersaturationvoltage IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C 2,00 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,15  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  1,10  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,04  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   100 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,09 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,09  µs
RGon = 75 Ω
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,03 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,05  µs
RGon = 75 Ω
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,42 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,52  µs
RGoff = 75 Ω
Fallzeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,07 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,09  µs
RGoff = 75 Ω
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 1,50 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eon  2,10  mJ
RGon = 75 Ω
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 1,10 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V Tvj = 125°C Eoff  1,50  mJ
RGoff = 75 Ω
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 60 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC   1,20 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  0,475 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  10  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  20  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t  20,0  A²s
I²t-value

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 1,80 2,25 V
VF
Forwardvoltage IF = 10 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C 1,85 V
Rückstromspitze IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 14,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  15,0  A

Sperrverzögerungsladung IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 1,00 µC

Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  1,80  µC

AbschaltenergieproPuls IF = 10 A, - diF/dt = 400 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C 0,26 mJ

Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  0,56  mJ

Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC   2,30 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  0,915 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  125 °C
Temperatureunderswitchingconditions

NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25°C R25  5,00  kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25   20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  3411  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  3433  K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
   Cu  
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  Al203  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 7,5
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 200  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
RthCH  0,02 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
 LsCE  60  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 4,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch   mΩ
RAA'+CC' 3,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper 150 °C
Tvj max  
Maximumjunctiontemperature Gleichrichter/rectifier 150 °C
TemperaturimSchaltbetrieb Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper -40 125 °C
Tvj op 
Temperatureunderswitchingconditions Gleichrichter/rectifier -40 150 °C
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 - 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
 G  180  g
Weight

bei Betrieb mit Vge = 0V/+15V empfehlen wir einen Rgon,min von 36 Ohm und eine Rgoff,min von 36 Ohm (siehe AN 2006-01)
for operation with Vge= 0V/+15V we recommend a Rgon,min of 36 ohms and a Rgoff,min of 36 ohms (see AN 2006-01)

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=125°C

50 50
Tvj = 25°C VGE = 19V
45 Tvj = 125°C 45 VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
40 40 VGE = 11V
VGE = 9V
35 35

30 30
IC [A]

IC [A]
25 25

20 20

15 15

10 10

5 5

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=600V

50 11
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
45 Tvj = 125°C 10 Eoff, Tvj = 125°C

9
40

8
35
7
30
6
E [mJ]
IC [A]

25
5
20
4
15
3

10
2

5 1

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50
VGE [V] IC [A]

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJC=f(t)
VGE=±15V,IC=25A,VCE=600V

5,0 1
Eon, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT
4,5 Eoff, Tvj = 125°C

4,0

3,5

3,0

ZthJC [K/W]
E [mJ]

2,5 0,1

2,0

1,5

1,0
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,09025 0,3612 0,2031 0,1403
0,5 τi[s]: 0,002345 0,0282 0,1128 0,282

0,0 0,01
0 10 20 30 40 50 60 70 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=125°C
55 50
IC, Modul Tvj = 25°C
50 IC, Chip 45 Tvj = 125°C

45
40

40
35
35
30
30
IC [A]

IF [A]

25
25
20
20
15
15

10
10

5 5

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
VCE [V] VF [V]

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

7
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=18Ω,VCE=600V IF=25A,VCE=600V

3,0 3,0
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C

2,5 2,5

2,0 2,0
E [mJ]

E [mJ]
1,5 1,5

1,0 1,0

0,5 0,5

0,0 0,0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 10 20 30 40 50 60 70
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJC=f(t) IF=f(VF)

10 50
ZthJC : Diode Tvj = 25°C
45 Tvj = 150°C

40

35
1
30
ZthJC [K/W]

IF [A]

25

20
0,1
15

10
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,1375 0,888 0,2558 0,08101
τi[s]: 0,003333 0,03429 0,1294 0,7662 5

0,01 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2
t [s] VF [V]

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE) IF=f(VF)
VGE=15V

30 30
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
Tvj = 125°C Tvj = 125°C

25 25

20 20
IC [A]

IF [A]
15 15

10 10

5 5

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V] VF [V]

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

100000
Rtyp

10000
R[Ω]

1000

100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

10
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP25R12KE3

Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

Terms&Conditionsofusage

Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.

Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.

Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.

Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.

ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.

Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.

Changesofthisproductdatasheetarereserved.

preparedby:AS dateofpublication:2013-10-02
approvedby:RS revision:3.2

11